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首页 全部分类 MRFE6S9160HR3 vs MRFE6S9125NBR1

MRFE6S9160HR3备选型号: MRFE6S9125NBR1

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • NXP USA Inc.
    MRFE6S9160HR3
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin NI-780 T/R
    SOT-957A
    66V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8541.29.00.75
    unknown
    880MHz
    MRFE6S9160
    1.2A
    LDMOS
    21dB
    35W
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MRFE6S9125NBR1
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin TO-272 W T/R
    TO-272BB
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    EAR99
    8541.29.00.75
    -
    880MHz
    MRFE6S9125
    950mA
    LDMOS
    20.2dB
    27W
    28V
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    YES
    SILICON
    e3
    4
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    R-PDFM-F4
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    66V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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