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首页 全部分类 MSD601-RT1G vs BC846BWT1G

MSD601-RT1G备选型号: BC846BWT1G

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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 频率
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 转换频率
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MSD601-RT1G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 50V 0.1A SC59
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    50V
    500mV
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    50V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MSD601
    3
    Single
    200mW
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    50V
    100mA
    210 @ 2mA 10V
    100nA
    500mV @ 10mA, 100mA
    50V
    60V
    7V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BC846BWT1G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 65V 0.1A SC-70
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    65V
    600mV
    Cut Tape (CT)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    65V
    150mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    -
    3
    Single
    150mW
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    65V
    100mA
    200 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    600mV @ 5mA, 100mA
    65V
    80V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    100MHz
    无卤素
    100MHz
    100MHz
    900μm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
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