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首页 全部分类 MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D vs MT29F1G16ABBDAHC-IT:D

MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D备选型号: MT29F1G16ABBDAHC-IT:D

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 记忆密度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • 电源电流
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 访问时间（最大）
  • 同步/异步
  • 字长
  • 数据轮询
  • 拨动位
  • 命令用户界面
  • 扇区/尺寸数
  • 行业规模
  • 页面尺寸
  • 准备就绪/忙碌
  • 辐射硬化
  • Micron Technology Inc.
    MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D
    Micron Technology Inc.
    NAND FLASH, DENSITY 1 GB, VOLTAGE 3.3V
    3 Weeks
    表面贴装
    63-VFBGA
    YES
    63
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2012
    e1
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    63
    3A991.B.1.A
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    8542.32.00.51
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    260
    1
    1.8V
    0.8mm
    30
    MT29F1G08
    63
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    1Gb 128M x 8
    ASYNCHRONOUS
    FLASH
    Parallel
    128MX8
    8
    1073741824 bit
    11mm
    1mm
    9mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT29F1G16ABBDAHC-IT:D
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 64M x 16 63-Pin VFBGA Tray
    3 Weeks
    表面贴装
    63-VFBGA
    -
    63
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Bulk
    2013
    -
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    63
    -
    -
    -
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    -
    1
    1.8V
    0.8mm
    -
    MT29F1G16
    -
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    1Gb 64M x 16
    -
    FLASH
    Parallel
    64MX16
    16
    -
    13mm
    1mm
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    20mA
    27b
    1 Gb
    0.00005A
    25 ns
    Asynchronous
    16b
    NO
    NO
    YES
    1K
    64K
    1Kwords
    YES
    无
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