Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D
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MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D
1616-MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D
存储器
63-VFBGA
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NAND FLASH, DENSITY 1 GB, VOLTAGE 3.3V
--最小包装量--
MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D详情
Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
3 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
表面安装
YES
引脚数
63
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2012
JESD-609代码
e1
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT29F1G08
引脚数量
63
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 128M x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
128MX8
内存宽度
8
记忆密度
1073741824 bit
长度
11mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D拓展信息
Micron Technology Inc.
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