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首页 全部分类 MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D vs MT29F1G08ABADAH4-IT:D

MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D备选型号: MT29F1G08ABADAH4-IT:D

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 端子间距
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 内存大小
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
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  • 拨动位
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  • 行业规模
  • 页面尺寸
  • 准备就绪/忙碌
  • RoHS状态
  • 底架
  • Current - Supply (Nom)
  • 功能数量
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Micron Technology Inc.
    MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
    Micron Technology Inc.
    NAND FLASH, DENSITY 1 GB, VOLTAGE 1.8V
    5 Weeks
    表面贴装
    63-VFBGA
    YES
    63
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2013
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    63
    Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
    1.8V
    BOTTOM
    0.8mm
    unknown
    MT29F1G16
    不合格
    1Gb 64M x 16
    FLASH
    Parallel
    64MX16
    16
    0.00005A
    25 ns
    NO
    NO
    YES
    1K
    64K
    1Kwords
    YES
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT29F1G08ABADAH4-IT:D
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin VFBGA Tray
    5 Weeks
    表面贴装
    63-VFBGA
    -
    63
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2012
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    63
    -
    3.3V
    BOTTOM
    0.8mm
    -
    MT29F1G08
    -
    1Gb 128M x 8
    FLASH
    Parallel
    128MX8
    8
    0.0001A
    25 ns
    NO
    NO
    YES
    1K
    128K
    2kB
    YES
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    35mA
    1
    28b
    1 Gb
    Asynchronous
    8b
    3.6V
    2.7V
    1mm
    无
    无铅
  • 添加型号
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