Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
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MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
1616-MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
存储器
63-VFBGA
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NAND FLASH, DENSITY 1 GB, VOLTAGE 1.8V
--最小包装量--
MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D详情
Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
5 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
表面安装
YES
引脚数
63
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2013
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
unknown
基本部件号
MT29F1G16
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8V
内存大小
1Gb 64M x 16
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
64MX16
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00005A
访问时间(最大)
25 ns
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1K
行业规模
64K
页面尺寸
1Kwords
准备就绪/忙碌
YES
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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