MT41K256M16TW-093:P备选型号: MT41K512M8DA-107:P
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 高度
- 无铅
- IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGACopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装96-TFBGA96Volatile0°C~95°C TCTray2017e1yes活跃3 (168 Hours)96EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY8542.32.00.361.283V~1.45VBOTTOM26011.35V0.8mm301.35V1.45V1.283V4Gb 256M x 161SYNCHRONOUS1067MHz20nsDRAMParallel16b256MX161615b4 Gb14mm1.2mmROHS3 Compliant--
- IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGACopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装78-TFBGA78Volatile0°C~95°C TCTray2015--活跃3 (168 Hours)78EAR99-AUTO/SELF REFRESH-1.283V~1.45VBOTTOM未说明11.35V0.8mm未说明1.35V1.45V1.283V4Gb 512M x 81SYNCHRONOUS933MHz20nsDRAMParallel8b512MX8816b4 Gb10.5mm-ROHS3 Compliant1.2mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16256A-125KBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM | 对比 | |
![]() | MT41K512M8DA-107:P | Micron Technology Inc. | 存储器 | 78-TFBGA | IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA | 对比 |
![]() | MT40A256M16GE-083E:B | Micron Technology Inc. | 存储器 | 96-TFBGA | IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA | 对比 |





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