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MT41K256M16TW-107:P备选型号: IS43TR16128A-15HBLI
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- ECCN 代码
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- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 电压 - 供电 （最大值）
- 电压 - 供电 （最小值）
- 高度
- 长度
- RoHS状态
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 最大电流源
- 输出特性
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA16 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装96-TFBGAVolatile0°C~95°C TCTray2016活跃3 (168 Hours)96EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.361.35VBOTTOM未说明10.8mm未说明R-PBGA-B964Gb 256M x 161SYNCHRONOUS933MHz20nsDRAMParallel16b256MX161615b4 Gb1.45V1.283V1.2mm14mmROHS3 Compliant--------------
DRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3 SDRAM--表面贴装表面贴装96-TFBGAVolatile-40°C~95°C TCTray-Discontinued3 (168 Hours)96EAR99-8542.32.00.361.5VBOTTOM-10.8mm--2Gb 128M x 161-667MHz20nsDRAMParallel16b128MX161617b2 Gb1.575V1.425V-13mmROHS3 Compliant96140mAe1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)286mA3-STATE15ns0.02ACOMMON819248481.2mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16128A-15HBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3 SDRAM | 对比 |
 | MT41K128M16JT-107:K | Micron Technology Inc. | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA | 对比 |
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