Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107:P
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MT41K256M16TW-107:P
1616-MT41K256M16TW-107:P
存储器
96-TFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
--最小包装量--
MT41K256M16TW-107:P详情
Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107:P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
96-TFBGA
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
96
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.283V~1.45V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.35V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B96
工作电源电压
1.35V
电源电压-最大值(Vsup)
1.45V
电源电压-最小值(Vsup)
1.283V
内存大小
4Gb 256M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
933MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
256MX16
内存宽度
16
地址总线宽度
15b
密度
4 Gb
高度
1.2mm
长度
14mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT41K256M16TW-107:P拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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