MT47H64M16U88BWC1备选型号: IS43TR16640BL-125JBL
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- 地址总线宽度
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- RoHS状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- JESD-609代码
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
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- 电源电压-最大值(Vsup)
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- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 长度
- 座位高度(最大)
- DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V12 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装Bulk不用于新设计85°C0°C1.8V16b13b1 Gb符合RoHS标准----------------------------------
- DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA6 Weeks--Tray活跃--1.35V-13b1 GbROHS3 Compliant表面贴装96-TFBGAYES96Volatile0°C~95°C TCe13 (168 Hours)96EAR99锡银铜AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.321.283V~1.45VBOTTOM未说明11.5V0.8mm未说明1.575V1.425V1Gb 64M x 161SYNCHRONOUS800MHz20nsDRAMParallel64MX161615ns13mm1.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR16640C-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA | 对比 | |
![]() | MT41K64M16TW-107:J | Micron Technology Inc. | 存储器 | 96-TFBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA | 对比 |




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