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首页 全部分类 MT49H32M18CSJ-18:B vs IS64LF12836EC-7.5B3LA3

MT49H32M18CSJ-18:B备选型号: IS64LF12836EC-7.5B3LA3

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
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  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 最高频率
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • Current - Supply (Nom)
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 资历状况
  • 电源
  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • 筛选水平
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • Micron Technology Inc.
    MT49H32M18CSJ-18:B
    Micron Technology Inc.
    DRAM Chip RLDRAM2 576M-Bit 32Mx18 1.8V 144-Pin FBGA
    9 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    144-TFBGA
    144
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    144
    自动刷新
    1.8V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1mm
    未说明
    576Mb 32M x 18
    1
    SYNCHRONOUS
    533MHz
    15ns
    DRAM
    Parallel
    18b
    32MX18
    18
    20b
    576 Mb
    533.33MHz
    1.9V
    1.7V
    18.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS64LF12836EC-7.5B3LA3
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 4Mb, 3.3v, 7.5ns 128K x 36 Sync SRAM
    12 Weeks
    -
    -
    表面贴装
    165-TBGA
    165
    Volatile
    -40°C~125°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    -
    3.135V~3.465V
    BOTTOM
    260
    1
    1mm
    10
    4.5Mb 128K x 36
    4
    -
    117MHz
    7.5ns
    SRAM
    Parallel
    -
    128KX36
    36
    17b
    4 Mb
    -
    -
    3.135V
    15mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    YES
    185mA
    e1
    3A991.B.2.A
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    不合格
    2.5/3.33.3V
    3-STATE
    0.1A
    AEC-Q100
    COMMON
    Synchronous
    36b
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