登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

MT49H32M18CSJ-18:B备选型号: MT49H16M36SJ-18:B

MT49H32M18CSJ-18:B

Micron Technology Inc.

DRAM Chip RLDRAM2 576M-Bit 32Mx18 1.8V 144-Pin FBGA

9 Weeks
Copper, Silver, Tin
表面贴装
表面贴装
144-TFBGA
144
Volatile
0°C~95°C TC
Tray
2015
活跃
3 (168 Hours)
144
自动刷新
1.8V
BOTTOM
未说明
1
1mm
未说明
576Mb 32M x 18
1
SYNCHRONOUS
533MHz
15ns
DRAM
Parallel
18b
32MX18
18
20b
576 Mb
533.33MHz
1.9V
1.7V
18.5mm
1.2mm
ROHS3 Compliant
-
MT49H16M36SJ-18:B

Micron Technology Inc.

DRAM Chip RLDRAM2 576M-Bit 16Mx36 1.8V 144-Pin FBGA

9 Weeks
-
-
表面贴装
144-TFBGA
144
Volatile
0°C~95°C TC
Tray
2015
活跃
3 (168 Hours)
144
自动刷新
1.8V
BOTTOM
-
1
1mm
-
576Mb 16M x 36
1
SYNCHRONOUS
533MHz
15ns
DRAM
Parallel
-
16MX36
36
22b
576 Mb
533.33MHz
1.9V
1.7V
18.5mm
1.2mm
ROHS3 Compliant
YES
添加型号

集成电路（IC）相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	IS64LF12836EC-7.5B3LA3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	存储器	165-TBGA	SRAM 4Mb, 3.3v, 7.5ns 128K x 36 Sync SRAM	对比
	MT49H16M36SJ-18:B	Micron Technology Inc.	存储器	144-TFBGA	DRAM Chip RLDRAM2 576M-Bit 16Mx36 1.8V 144-Pin FBGA	对比