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首页 全部分类 MTB30P06VT4G vs IRF5305STRLPBF

MTB30P06VT4G备选型号: IRF5305STRLPBF

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  • 描述:
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 系列
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • ON Semiconductor
    MTB30P06VT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    YES
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    80MOhm
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    -60V
    鸥翼
    260
    -30A
    40
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    14.7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 15A, 10V
    4V @ 250μA
    2190pF @ 25V
    80nC @ 10V
    25.9ns
    60V
    ±15V
    52.4 ns
    30A
    15V
    -60V
    450 mJ
    -2.6 V
    4.83mm
    10.29mm
    9.65mm
    Unknown
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF5305STRLPBF
    Infineon Technologies
    Single P-Channel 55 V 60 mOhm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
    -
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    3
    SILICON
    39 ns
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    60mOhm
    -
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -55V
    鸥翼
    260
    -31A
    30
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    14 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    1200pF @ 25V
    63nC @ 10V
    66ns
    55V
    ±20V
    63 ns
    -31A
    20V
    -55V
    280 mJ
    -4 V
    5.084mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    HEXFET®
    1
    -4V
    TO-252
    -55V
    110 ns
    175°C
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