Infineon Technologies IRF5305STRLPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

39 ns

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 110W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc

已出版

2005

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

60mOhm

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-55V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-31A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 10V

上升时间

66ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

63 ns

连续放电电流(ID)

-31A

阈值电压

-4V

JEDEC-95代码

TO-252

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-55V

双电源电压

-55V

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

恢复时间

110 ns

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

-4 V

宽度

9.65mm

长度

10.668mm

高度

5.084mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free