MTB30P06VT4G备选型号: NTB25P06T4G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 极性/通道类型
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON30A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2006e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR9980MOhmTin (Sn)雪崩 额定-60V鸥翼260-30A403R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3WDRAIN14.7 nsP-ChannelSWITCHING80m Ω @ 15A, 10V4V @ 250μA2190pF @ 25V80nC @ 10V25.9ns60V±15V52.4 ns30A15V-60V450 mJ-2.6 V4.83mm10.29mm9.65mmUnknown无符合RoHS标准无铅-----
- MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAKACTIVE (Last Updated: 4 days ago)表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON27.5A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99----60V鸥翼--25A-3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET120WDRAIN14 nsP-ChannelSWITCHING82m Ω @ 25A, 10V4V @ 250μA1680pF @ 25V50nC @ 10V72ns60V±15V190 ns27.5A15V-60V600 mJ-4.83mm10.29mm9.65mm-无ROHS3 Compliant无铅7 WeeksTinN-CHANNEL0.082Ohm80A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQB30N06LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Single P-Channel 55 V 60 mOhm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK | 对比 |





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