MTM684110LBF备选型号: NTHS2101PT1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
- Panasonic MTM684110LBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.8 A, -12 V Depletion, 8-pin WMini8-F110 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON4.8A150°C TJTape & Reel (TR)2008活跃1 (Unlimited)8EAR991W未说明unknown未说明MTM68411Dual增强型MOSFET1W9 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING32m Ω @ 1A, 5V1V @ 1mA1400pF @ 10V11ns12V160 ns-4.8A8V0.032Ohm12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard-650 mV780μm2.9mm2.4mm无SVHC符合RoHS标准----------------
- MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET-表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON5.4A Tj-Tape & Reel (TR)2010Obsolete1 (Unlimited)8EAR99-240not_compliant30--增强型MOSFET1.3W-P-ChannelSWITCHING25m Ω @ 5.4A, 4.5V1.5V @ 250μA2400pF @ 6.4V28ns-28 ns5.4A8V0.025Ohm--------Non-RoHS CompliantOBSOLETE (Last Updated: 14 hours ago)e0no逻辑电平兼容-8VDUALC 弯管-5.4A8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE30nC @ 4.5V±8V-8V7.5A含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTHS2101PT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET | 对比 |




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