Panasonic Electronic Components MTM684110LBF
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MTM684110LBF
1850-MTM684110LBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Flat Lead
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Panasonic MTM684110LBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.8 A, -12 V Depletion, 8-pin WMini8-F1
--最小包装量--
MTM684110LBF详情
Panasonic Electronic Components MTM684110LBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.8A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
270 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
MTM68411
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
32m Ω @ 1A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1400pF @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
12V
下降时间(典型值)
160 ns
连续放电电流(ID)
-4.8A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏极-源极导通最大电阻
0.032Ohm
DS 击穿电压-最小值
12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
栅源电压
-650 mV
高度
780μm
长度
2.9mm
宽度
2.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
MTM684110LBF拓展信息
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