MTMC8E2A0LBF备选型号: EMH2418R-TL-H
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 通道数量
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 无铅
- MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 7A, WMINI8-F110 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)8EAR991W未说明unknown未说明MTMC8E2ACOMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR增强型MOSFET1W330 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING21m Ω @ 2A, 4.5V1.3V @ 1mA1450pF @ 10V9ns20V33 ns7A12V7A0.033Ohm40VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard850 mV830μm2.9mm2.4mm无SVHC符合RoHS标准-------
- Trans MOSFET N-CH 24V 9A 8-Pin SOT-383FL9 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8-17.5 μs150°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)-EAR991.3W未说明not_compliant未说明----120 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain-15m Ω @ 4A, 4.5V1.3V @ 1mA-170ns24V22.6 μs9A12V----Logic Level Gate, 2.5V Drive-----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)e6yesTin/Bismuth (Sn/Bi)24.4nC @ 4.5V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EMH2418R-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | Trans MOSFET N-CH 24V 9A 8-Pin SOT-383FL | 对比 |
| MCH6437-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6 | 对比 |




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