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首页 全部分类 MTMC8E2A0LBF vs MCH6437-TL-W

MTMC8E2A0LBF备选型号: MCH6437-TL-W

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • Panasonic Electronic Components
    MTMC8E2A0LBF
    Panasonic Electronic Components
    MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 7A, WMINI8-F1
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1W
    未说明
    unknown
    未说明
    MTMC8E2A
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    1W
    330 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    21m Ω @ 2A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    1450pF @ 10V
    9ns
    20V
    33 ns
    7A
    12V
    7A
    0.033Ohm
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    850 mV
    830μm
    2.9mm
    2.4mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6437-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    7A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    -
    not_compliant
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    9.7 ns
    N-Channel
    -
    24m Ω @ 4A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    660pF @ 10V
    53ns
    20V
    65 ns
    7A
    12V
    7A
    0.024Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    e6
    yes
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    防静电
    DUAL
    8.4nC @ 4.5V
    ±12V
    28A
    20V
    无铅
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