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首页 全部分类 MTP50P03HDLG vs IRLB4132PBF

MTP50P03HDLG备选型号: IRLB4132PBF

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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 系列
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    MTP50P03HDLG
    ON Semiconductor
    MOSFET PFET T0220 30V 50A 25mOhm
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    Tin
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    25MOhm
    雪崩 额定
    -30V
    260
    -50A
    40
    3
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    22 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 25A, 5V
    2V @ 250μA
    4900pF @ 25V
    100nC @ 5V
    340ns
    ±15V
    218 ns
    50A
    -1.5V
    TO-220AB
    15V
    30V
    14.478mm
    10.2616mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLB4132PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 78A TO220
    -
    -
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    -
    -
    78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    3.5mOhm
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    3.5m Ω @ 40A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5110pF @ 15V
    54nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    -
    78A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    通孔
    HEXFET®
    30V
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