Infineon Technologies IRLB4132PBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.35V @ 100μA

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

78A Tc

已出版

2009

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.5mOhm

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5m Ω @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5110pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

54nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

78A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅