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MVMBF0201NLT1G备选型号: NTR1P02T1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 功率耗散
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23-3ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)7 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33300mA TaTape & Reel (TR)2006e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)150°C-55°CDUAL鸥翼3AEC-Q101Single增强型MOSFET2.5 nsN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 300mA, 10V2.4V @ 250μA45pF @ 5V2.5ns±20V800 ps300mA20V1Ohm1.01mm3.04mm1.4mm无ROHS3 Compliant无铅---------------- MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23--表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-1A TaTape & Reel (TR)2009e0-Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)--DUAL鸥翼3-Single增强型MOSFET-P-ChannelSWITCHING180m Ω @ 1.5A, 10V2.3V @ 250μA165pF @ 5V9ns±20V9 ns1A20V0.18Ohm----Non-RoHS Compliant含铅SILICON-55°C~150°C TJ8541.21.00.95-20V240not_compliant-1A30R-PDSO-G3不合格400mW2.5nC @ 5VTO-236AB1A-20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 | 对比 |
 | DMG301NU-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 | 对比 |
| NTR1P02T1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | 对比 |
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