ON Semiconductor MVMBF0201NLT1G
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MVMBF0201NLT1G
1807-MVMBF0201NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23-3
--最小包装量--
MVMBF0201NLT1G详情
ON Semiconductor MVMBF0201NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
225mW Ta
Turn Off Delay Time
15 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
2.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1 Ω @ 300mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
45pF @ 5V
上升时间
2.5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
800 ps
连续放电电流(ID)
300mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
1Ohm
高度
1.01mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MVMBF0201NLT1G拓展信息
ON Semiconductor
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