MX29F200CTMI-70G备选型号: M29F200FB55M3E2
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- IC FLASH 2M PARALLEL 44SOP16 Weeks表面贴装44-SOIC (0.496, 12.60mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATubeMX29F2009最后一次购买3 (168 Hours)44EAR99TOP BOOT BLOCK8542.32.00.514.5V~5.5VDUAL未说明15V1.27mm未说明44R-PDSO-G44不合格5V5V2Mb 256K x 8ASYNCHRONOUSFLASHParallel128KX161670ns2 Mb0.000005A70 ns5V100000 Write/Erase Cycles8YESYESYES121316K8K32K64KYESTOP28.5mm3mm12.6mmROHS3 Compliant无铅---------
- NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 55ns 44-Pin SO W Tray-表面贴装44-SOIC (0.496, 12.60mm Width)YESNon-Volatile-40°C~125°C TATray-2014Obsolete3 (168 Hours)44EAR99底部启动区块8542.32.00.514.5V~5.5VDUAL26015V1.27mm3044--5V5V2Mb 256K x 8 128K x 16-FLASHParallel128KX161655ns2 Mb0.00012A55 ns--8YESYESYES121316K8K32K64KYESBOTTOM28.5mm3mm12.6mmROHS3 Compliant-44yesM29F2004.5V20mAAEC-Q100AsynchronousYES无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M29F200FB55M3E2 | Micron Technology Inc. | 存储器 | 44-SOIC (0.496, 12.60mm Width) | NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 55ns 44-Pin SO W Tray | 对比 |
![]() | SST25VF020B-80-4I-SAE-T | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 2MBIT 80MHZ 8SOIC | 对比 |





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