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首页 全部分类 N25Q016A11EF640E vs LE25U20AMB-AH

N25Q016A11EF640E备选型号: LE25U20AMB-AH

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  • 引脚数量
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  • 电源电流
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  • 待机电流-最大值
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  • 串行总线类型
  • 耐力
  • 写入周期时间 - 最大值
  • 数据保持时间
  • 写入保护
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Micron Technology Inc.
    N25Q016A11EF640E
    Micron Technology Inc.
    IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8DFN
    4 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Bulk
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    1.7V~2V
    DUAL
    1
    1.8V
    1.27mm
    unknown
    1.8V
    2V
    1.7V
    SPI, Serial
    16Mb 2M x 8
    SYNCHRONOUS
    108MHz
    FLASH
    SPI
    8
    8ms, 1ms
    16 Mb
    256B
    6mm
    1mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    LE25U20AMB-AH
    ON Semiconductor
    IC FLASH 2M SPI 30MHZ 8SOP
    9 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    2.3V~3.6V
    DUAL
    1
    2.5V
    1.27mm
    -
    -
    3.6V
    2.3V
    SPI, Serial
    2Mb 256K x 8
    -
    30MHz
    FLASH
    SPI
    -
    5ms
    2 Mb
    256B
    4.9mm
    -
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2012
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    LE25U20A
    8
    2.5/3.3V
    6mA
    8b
    无卤素
    18b
    0.00001A
    Synchronous
    8b
    2.7V
    SPI
    100000 Write/Erase Cycles
    15ms
    20
    HARDWARE/SOFTWARE
    1.5mm
    无
    无铅
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