Micron Technology Inc. N25Q016A11EF640E
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N25Q016A11EF640E
1616-N25Q016A11EF640E
存储器
8-VDFN Exposed Pad
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IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8DFN
1最小包装量--
N25Q016A11EF640E详情
Micron Technology Inc. N25Q016A11EF640E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
引脚数
8
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
电压 - 供电
1.7V~2V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1.27mm
Reach合规守则
unknown
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
2V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
界面
SPI, Serial
内存大小
16Mb 2M x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
108MHz
内存格式
FLASH
内存接口
SPI
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
8ms, 1ms
密度
16 Mb
页面尺寸
256B
长度
6mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
N25Q016A11EF640E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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