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NCP5111DR2G备选型号: AUIRS2004S

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  • 电源电流
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  • 关断时间
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  • 高压侧电压-最大值(自举)
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  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 系列
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 座位高度(最大)
  • ON Semiconductor
    NCP5111DR2G
    ON Semiconductor
    Driver 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
    4 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    170 ns
    2008
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~125°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    40
    NCP5111
    8
    20V
    500mA
    15V
    5mA
    5mA
    Non-Inverting
    1.17 μs
    无卤素
    160ns
    75 ns
    85ns 35ns
    Synchronous
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    0.17 μs
    UNDER VOLTAGE
    600V
    水槽
    4mm
    5mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRS2004S
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    -
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    Half-Bridge
    1999
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    e3
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    -
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    AUIRS2004S
    -
    -
    600mA
    15V
    -
    -
    Non-Inverting
    150 ns
    -
    220ns
    170 ns
    160ns 70ns
    Synchronous
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    -
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    200V
    -
    3.9mm
    4.9mm
    -
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    -
    Automotive, AEC-Q100
    625mW
    625mW
    130mA
    880 ns
    1.75mm
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