ON Semiconductor NCP5111DR2G
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NCP5111DR2G
1807-NCP5111DR2G
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Driver 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
--最小包装量--
NCP5111DR2G详情
ON Semiconductor NCP5111DR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
8
Turn Off Delay Time
170 ns
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.3V
Driver Configuration
Half-Bridge
已出版
2008
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~125°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NCP5111
引脚数量
8
输出电压
20V
最大输出电流
500mA
电源
15V
电源电流
5mA
最大电源电流
5mA
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
1.17 μs
无卤素
无卤素
上升时间
160ns
下降时间(典型值)
75 ns
上升/下降时间(Typ)
85ns 35ns
信道型
Synchronous
驱动器数量
2
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
250mA 500mA
关断时间
0.17 μs
内置保护器
UNDER VOLTAGE
高压侧电压-最大值(自举)
600V
输出电流流向
水槽
宽度
4mm
长度
5mm
高度
1.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
NCP5111DR2G拓展信息
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