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首页 全部分类 NCP5181DR2G vs AUIRS2181STR

NCP5181DR2G备选型号: AUIRS2181STR

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  • 电源电流
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  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
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  • 差分输出
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  • 输入特性
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  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • ON Semiconductor
    NCP5181DR2G
    ON Semiconductor
    IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    178mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    40
    NCP5181
    8
    620.3V
    2.2A
    15V
    6.5mA
    178mW
    2.2A
    6.5mA
    170 ns
    Non-Inverting
    170 ns
    无卤素
    60ns
    NO
    40 ns
    STANDARD
    40ns 20ns
    LINE DRIVER
    Independent
    2
    N-Channel MOSFET
    1.4A 2.2A
    600V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRS2181STR
    Infineon Technologies
    Driver 600V 2.3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    -
    EAR99
    -
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    -
    1
    15V
    -
    AU842992
    -
    -
    2.3A
    15V
    -
    625mW
    1.9A
    -
    330 ns
    Inverting
    35 ns
    -
    60ns
    -
    35 ns
    -
    15ns 15ns
    -
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    1.9A 2.3A
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    0.33 μs
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
  • 添加型号
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