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首页 全部分类 NCP5181DR2G vs MIC4100YM

NCP5181DR2G备选型号: MIC4100YM

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  • 电源电流
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  • 输出电流
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  • 无卤素
  • 上升时间
  • 差分输出
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  • 接口IC类型
  • 信道型
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  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输出的数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • ON Semiconductor
    NCP5181DR2G
    ON Semiconductor
    IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    178mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    40
    NCP5181
    8
    620.3V
    2.2A
    15V
    6.5mA
    178mW
    2.2A
    6.5mA
    170 ns
    Non-Inverting
    170 ns
    无卤素
    60ns
    NO
    40 ns
    STANDARD
    40ns 20ns
    LINE DRIVER
    Independent
    2
    N-Channel MOSFET
    1.4A 2.2A
    600V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MIC4100YM
    Microchip Technology
    IC DRIVER MOSFET 100V CMOS 8SOIC
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    2006
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    SMD/SMT
    -
    -
    -
    9V~16V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    MIC4100
    -
    -
    2A
    -
    2.5mA
    -
    2A
    -
    27 ns
    Non-Inverting
    8 ns
    -
    10ns
    -
    10 ns
    -
    400ns 400ns
    -
    Independent
    2
    N-Channel MOSFET
    2A 2A
    118V
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8-SOIC
    125°C
    -40°C
    2
    16V
    9V
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