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首页 全部分类 NCV8406ASTT1G vs IRLL014NTRPBF

NCV8406ASTT1G备选型号: IRLL014NTRPBF

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  • 输入类型
  • 开关类型
  • 无卤素
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  • 比率-输入：输出
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 输出峰值电流限制-名
  • Rds On(Typ)
  • 内置保护器
  • 输出电流流向
  • 特征
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NCV8406ASTT1G
    ON Semiconductor
    Self-Protected Low Side Driver Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    Automotive grade
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    210mOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    1
    2.3mm
    NCV8406
    4
    1
    N-Channel
    7A
    On/Off
    低侧
    不需要
    Non-Inverting
    通用型
    无卤素
    70V
    1:1
    60V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    8.5A
    185m Ω
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    SOURCE
    自动重启
    1.57mm
    6.5mm
    3.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLL014NTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    200mOhm
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    55V
    2A
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    5.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 2A, 10V
    2V @ 250μA
    230pF @ 25V
    14nC @ 10V
    4.9ns
    ±16V
    2.9 ns
    2A
    2V
    16V
    2A
    55V
    55V
    61 ns
    2 V
    无SVHC
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