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NDC7002N备选型号: DMN5L06DMKQ-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 功率 - 最大
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)5 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1998e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR992Ohm50V700mW鸥翼350mA2Dual增强型MOSFET960mW6 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING2 Ω @ 510mA, 10V2.5V @ 250μA20pF @ 25V1nC @ 10V6ns6 ns510mA1.9V20V0.51A50V50VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.9 V900μm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26-16 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-23-6--SILICON2-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3-活跃1 (Unlimited)6EAR99--400mW鸥翼---增强型MOSFET--2 N-Channel (Dual)SWITCHING2 Ω @ 50mA, 5V1V @ 250μA50pF @ 25V---305mA--0.305A--METAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard------ROHS3 Compliant-Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY未说明未说明AEC-Q101R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE400mW50V3Ohm50V5 pF- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN5L06DMKQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 | 对比 |
 | DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | 对比 |
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | 对比 |
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