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NDD01N60-1G备选型号: FQU1N50TU
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5OLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO4SILICON1.5A Tc-55°C~150°C TJTube2013e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)4R-PSIP-T3Single增强型MOSFETDRAIN8 nsN-Channel8.5 Ω @ 200mA, 10V3.7V @ 50μA无卤素160pF @ 25V7.2nC @ 10V5.1ns±30V21.3 ns1.5A30V600V6A13 mJ无符合RoHS标准无铅-----
MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK-通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA-3-1.1A Tc-55°C~150°C TJTube2000--Obsolete1 (Unlimited)-----Single---N-Channel9 Ω @ 550mA, 10V5V @ 250μA-150pF @ 25V5.5nC @ 10V25ns±30V20 ns1.1A30V500V---符合RoHS标准无铅通孔QFET®500V1.1A2.5W- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SFT1440-E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1.5A TP | 对比 |
| FQU1N50TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK | 对比 |
 | STD1NK60-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | 对比 |
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