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NDD60N360U1-1G备选型号: SPU07N60S5
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 系列
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 晶体管应用
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET NFET DPAK 600V 114A 360MOLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO4SILICON11A Tc-55°C~150°C TJTube2014e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)4R-PSIP-T3Single增强型MOSFET114WDRAIN10 nsN-Channel360m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA无卤素790pF @ 50V26nC @ 10V20ns600V±25V22 ns11A25V0.36Ohm600V无符合RoHS标准无铅-----------
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251-10 Weeks通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO3SILICON7.3A Tc-55°C~150°C TJTube2005e3yesObsolete1 (Unlimited)3--3-Single增强型MOSFET83W-120 nsN-Channel600m Ω @ 4.6A, 10V5.5V @ 350μA-970pF @ 25V35nC @ 10V40ns-±20V20 ns7.3A20V0.6Ohm--符合RoHS标准无铅TinCoolMOS™AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE600V未说明7.3A未说明不合格SWITCHING600V14.6A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STU10NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 10A IPAK | 对比 |
| SPU07N60S5 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 | 对比 |
| STU13NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
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