STMicroelectronics STU13NM60N

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

基本部件号

STU13N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

高度

6.9mm

长度

6.6mm

宽度

2.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant