NDD60N550U1T4G备选型号: STD11N50M2
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 基本部件号
- MOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MOLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-638.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yesObsolete3 (168 Hours)EAR99Tin (Sn)未说明未说明SingleN-Channel550m Ω @ 4A, 10V4V @ 250μA540pF @ 50V18nC @ 10V600V±25V8.2A8.5A符合RoHS标准无铅--
- MOSFET N-CH 500V 8A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-638A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)---活跃1 (Unlimited)EAR99----N-Channel530m Ω @ 4A, 10V4V @ 250μA395pF @ 100V12nC @ 10V500V±25V8A-ROHS3 Compliant无铅MDmesh™ II PlusSTD11
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD11N50M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 8A DPAK | 对比 |
![]() | IPD60R520CPBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | IPD60R460CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2 | 对比 |






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