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首页 全部分类 NDD60N550U1T4G vs IPD60R460CEATMA1

NDD60N550U1T4G备选型号: IPD60R460CEATMA1

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    NDD60N550U1T4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    8.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    550m Ω @ 4A, 10V
    4V @ 250μA
    540pF @ 50V
    18nC @ 10V
    600V
    ±25V
    8.2A
    8.5A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R460CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    9.1A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    460m Ω @ 3.4A, 10V
    3.5V @ 280μA
    620pF @ 100V
    28nC @ 10V
    600V
    ±20V
    9.1A
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3.949996g
    SILICON
    CoolMOS™ CE
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    SWITCHING
    9ns
    10 ns
    20V
    0.46Ohm
    26A
    600V
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