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NDDP010N25AZ-1H备选型号: FQU9N25TU
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 系列
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
ON SEMICONDUCTOR NDDP010N25AZ-1H MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 250 V, 0.32 ohm, 10 V, 4.5 V4 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA33.949996gSILICON10A Ta-55°C~150°C TJTube2010e6yesObsolete1 (Unlimited)3Tin/Bismuth (Sn/Bi)未说明未说明1Single增强型MOSFETDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING420m Ω @ 5A, 10V4.5V @ 1mA980pF @ 20V16nC @ 10V26ns±30V31 ns10A4.5V30V0.42Ohm250V7mm6.5mm2.3mm无SVHC符合RoHS标准无铅--------
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK6 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3343.08mgSILICON7.4A Tc-55°C~150°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)---Single增强型MOSFET-13 nsN-ChannelSWITCHING420m Ω @ 3.7A, 10V5V @ 250μA700pF @ 25V20nC @ 10V105ns±30V45 ns7.4A-30V0.42Ohm250V----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)QFET®EAR99250V7.4A2.5W29.6A无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQU10N20CTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK | 对比 |
| FQU9N25TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK | 对比 |
 | AUIRFU4292 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK | 对比 |
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