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首页 全部分类 NDDP010N25AZ-1H vs IRFU13N20DPBF

NDDP010N25AZ-1H备选型号: IRFU13N20DPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    NDDP010N25AZ-1H
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NDDP010N25AZ-1H MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 250 V, 0.32 ohm, 10 V, 4.5 V
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    3.949996g
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    未说明
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    420m Ω @ 5A, 10V
    4.5V @ 1mA
    980pF @ 20V
    16nC @ 10V
    26ns
    ±30V
    31 ns
    10A
    4.5V
    30V
    0.42Ohm
    250V
    7mm
    6.5mm
    2.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFU13N20DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    -
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2000
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    30
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    235m Ω @ 8A, 10V
    5.5V @ 250μA
    830pF @ 25V
    38nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    10 ns
    13A
    -
    30V
    -
    200V
    2.39mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    EAR99
    235MOhm
    200V
    13A
    不合格
    110W
    52A
    200V
    5.5 V
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