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NDS332P备选型号: BSS806NEH6327XTSA1
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 高度
MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)10 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON1A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2017e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD RATED8541.21.00.95-20VDUAL鸥翼未说明-1A未说明不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET500mWP-ChannelSWITCHING300m Ω @ 1.1A, 4.5V1V @ 250μA195pF @ 10V5nC @ 4.5V20V±8V1A1A-20V3.05mmROHS3 Compliant无铅---------------- MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3-10 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-3SILICON12 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-雪崩 额定--DUAL鸥翼未说明-未说明--增强型MOSFET500mWN-Channel-57m Ω @ 2.3A, 2.5V0.75V @ 11μA529pF @ 10V1.7nC @ 2.5V-±8V2.3A--1.3mmROHS3 Compliant无铅表面贴装Tin1.437803gAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®Single7.5 ns无卤素9.9ns3.7 ns8V20V0.057Ohm29 pF2.9mm1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP2004K-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23 | 对比 |
| BSS806NEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | 对比 |
| DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 | 对比 |
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