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首页 全部分类 NDS355N vs FDN337N

NDS355N备选型号: FDN337N

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NDS355N
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    125mOhm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    30V
    DUAL
    鸥翼
    1.6A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 1.9A, 10V
    2V @ 250μA
    245pF @ 10V
    5nC @ 5V
    14ns
    ±20V
    14 ns
    1.6A
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN337N
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    65mOhm
    -
    逻辑电平兼容
    30V
    DUAL
    鸥翼
    2.2A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 2.2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    300pF @ 10V
    9nC @ 4.5V
    10ns
    ±8V
    4 ns
    2.2A
    8V
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SMD/SMT
    未说明
    未说明
    不合格
    700mV
    2A
    30V
    150°C
    700 mV
    1.12mm
    2.92mm
    3.05mm
    无SVHC
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