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首页 全部分类 NDS355N vs IRLML9301TRPBF

NDS355N备选型号: IRLML9301TRPBF

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 制造商包装标识符
  • 系列
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NDS355N
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    125mOhm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    30V
    DUAL
    鸥翼
    1.6A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 1.9A, 10V
    2V @ 250μA
    245pF @ 10V
    5nC @ 5V
    14ns
    ±20V
    14 ns
    1.6A
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML9301TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    64MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    9.6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    64m Ω @ 3.6A, 10V
    2.4V @ 10μA
    388pF @ 25V
    4.8nC @ 4.5V
    19ns
    ±20V
    15 ns
    -3.6A
    20V
    -30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    IRLML9301TRPBF
    HEXFET®
    30V
    -2.4V
    21 ns
    150°C
    -1.3 V
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
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