NDS8936备选型号: IRF7313TRPBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 行间距
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 基本部件号
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mg2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)35mOhm30V900mW5.3A6.3 mmDual2W2 N-Channel (Dual)35m Ω @ 5.3A, 10V2.8V @ 250μA720pF @ 15V30nC @ 10V13ns10 ns5.3A20V30V30V逻辑电平门1.6 V4.05mm无SVHC符合RoHS标准------------------------
- MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)29mOhm30V2W6.5A6.3 mmDual2W2 N-Channel (Dual)29m Ω @ 5.8A, 10V1V @ 250μA650pF @ 25V33nC @ 10V8.9ns17 ns6.5A20V30V30VStandard1 V4.05mm无SVHCROHS3 Compliant12 WeeksTinSILICONHEXFET®2002e38EAR99HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED鸥翼IRF7313PBF2增强型MOSFET8.1 nsSWITCHING1V30AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR68 ns150°C1.75mm4.9784mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4542DY | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET, N & P CH, 30V, 0.028OHM, 6A, SOIC-8; Transistor Polarity: N and P Channel | 对比 | |
![]() | IRF7313TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | 对比 |



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