ON Semiconductor SI4542DY
- 收藏
- 对比
SI4542DY
1807-SI4542DY
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET, N & P CH, 30V, 0.028OHM, 6A, SOIC-8; Transistor Polarity: N and P Channel
--最小包装量--
SI4542DY详情
ON Semiconductor SI4542DY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
230.4mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
47 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
1W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
7A
基本部件号
SI4542D
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
830pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 5V
上升时间
22ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
18 ns
连续放电电流(ID)
6A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
栅源电压
1.5 V
高度
1.575mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SI4542DY拓展信息









哦! 它是空的。