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首页 全部分类 NDS8936 vs IRF7319TRPBF

NDS8936备选型号: IRF7319TRPBF

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  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NDS8936
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    35mOhm
    30V
    900mW
    5.3A
    6.3 mm
    Dual
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    35m Ω @ 5.3A, 10V
    2.8V @ 250μA
    720pF @ 15V
    30nC @ 10V
    13ns
    10 ns
    5.3A
    20V
    30V
    30V
    逻辑电平门
    1.6 V
    4.05mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7319TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    29mOhm
    -
    2W
    6.5A
    6.3 mm
    -
    2W
    N and P-Channel
    29m Ω @ 5.8A, 10V
    1V @ 250μA
    650pF @ 25V
    33nC @ 10V
    13ns
    32 ns
    6.5A
    20V
    30V
    -
    Standard
    1 V
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    HEXFET®
    1997
    8
    EAR99
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    DUAL
    鸥翼
    IRF7319PBF
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1V
    30A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.4986mm
    4.9784mm
    无
    Contains Lead, Lead Free
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