NDS8961备选型号: IRF9952PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 行间距
- 操作模式
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)14 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)30V900mW3.1A2W2 N-Channel (Dual)100m Ω @ 3.1A, 10V3V @ 250μA190pF @ 15V10nC @ 10V15ns3 ns3.1A20V30V逻辑电平门符合RoHS标准无铅-------------------------
- MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)3.5A 2.3A-55°C~150°C TJTubeDiscontinued1 (Unlimited)-2W3.5A2WN and P-Channel100m Ω @ 2.2A, 10V1V @ 250μA190pF @ 15V14nC @ 10V14ns6.9 ns3.5A20V30V逻辑电平门ROHS3 Compliant无铅8SILICONHEXFET®20048EAR99100mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼IRF9952PBF6.3 mm增强型MOSFETSWITCHINGN-CHANNEL AND P-CHANNEL1V16A44 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR1 V1.4986mm4.9784mm4.05mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7306TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF9952TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF9952PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 对比 |



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