Infineon Technologies IRF9952PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A 2.3A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

100mOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

3.5A

基本部件号

IRF9952PBF

行间距

6.3 mm

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

190pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

上升时间

14ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

6.9 ns

连续放电电流(ID)

3.5A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

雪崩能量等级（Eas）

44 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

4.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅