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NDS9936备选型号: FDS6930A
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- 电压 - 额定直流
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- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET Dl N-Ch Enhancement表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)82-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)30V900mW5A2W2 N-Channel (Dual)50m Ω @ 5A, 10V3V @ 250μA525pF @ 15V35nC @ 10V10ns10 ns5A20V30V逻辑电平门符合RoHS标准含铅----------------------- MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)82-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)30V900mW5.5A2W2 N-Channel (Dual)40m Ω @ 5.5A, 10V3V @ 250μA460pF @ 15V7nC @ 5V8ns13 ns5.5A20V30V逻辑电平门ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks187mgSILICONPowerTrench®e3yes8EAR9940mOhmTin (Sn)逻辑电平兼容鸥翼Dual增强型MOSFET5 nsSWITCHING1.5V4.6AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6930B | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC | 对比 |
| FDS6930A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC | 对比 |
| SI9936DY | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC | 对比 |
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