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首页 全部分类 NDS9936 vs IRF7303TRPBF

NDS9936备选型号: IRF7303TRPBF

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  • 场效应管特性
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NDS9936
    ON Semiconductor
    MOSFET Dl N-Ch Enhancement
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    30V
    900mW
    5A
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    50m Ω @ 5A, 10V
    3V @ 250μA
    525pF @ 15V
    35nC @ 10V
    10ns
    10 ns
    5A
    20V
    30V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7303TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    30V
    2W
    4.9A
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    50m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    21ns
    7.7 ns
    4.9A
    20V
    30V
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    HEXFET®
    1997
    e3
    8
    EAR99
    50mOhm
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    鸥翼
    260
    30
    IRF7303PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    6.8 ns
    SWITCHING
    1V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    71 ns
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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