NDS9947备选型号: NTMSD3P102R2SG
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mg3.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)-20V900mW-3.5ADual2W900mW2 P-Channel (Dual)100m Ω @ 3.5A, 10V3V @ 250μA542pF @ 10V13nC @ 10V13ns9 ns-3.5A20V-20V逻辑电平门符合RoHS标准--------------------
- MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)--2.34A Ta-Tape & Reel (TR)FETKY™Obsolete3 (168 Hours)-20V--3.05A-2W-P-Channel85m Ω @ 3.05A, 10V2.5V @ 250μA750pF @ 16V25nC @ 10V42ns35 ns2.34A20V-20VSchottky Diode (Isolated)符合RoHS标准2007e3yes8EAR99Tin (Sn)150°C-55°CDUAL鸥翼8R-PDSO-G8SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING±20V0.085Ohm135 pF无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMSD3P102R2SG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | 对比 | |
| MMDF3N02HDR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC | 对比 | |
| MMDF3N02HDR2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 3.8A 8-SOIC | 对比 |


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